Qorvo推出全新 X band 射频前端组件

2019-07-12

Qorvo近日宣布推出针对下一代有源电子扫描阵列?(AESA)?雷达设计的高性能?X?频段前端模块?(FEM)?——?QPM2637?和?QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓?(GaN)?产品也符合任务关键型操作所必需的高?RF?功率生存性要求。

预计到?2022?年,适合雷达应用的?RF?前端组件的需求量将超过?10?亿美元,未来五年的复合年增长率为?9%。由于?GaN?普及率明显超过其他技术选项,因此预计未来五年,国防应用的?RF GaN?器件市场(如雷达、电子战和通信)的复合年增长率将达到?24%。

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Qorvo?的新型?FEM(QPM2637?和?QPM1002)采用公司的创新?GaN?技术构建,可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性,同时可缩减尺寸、重量和成本。

GaN FEM?在紧凑的单封装中集成了四种功能,包括?RF?开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓?(GaAs)?低噪声放大器在不到100mW?的输入功率条件下都会受损,与之相比,GaN FEM?的接收端可承受最高?4W?的输入功率,且不会造成永久损坏。

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